Գալիումի նիտրիդի արագ լիցքավորման շուկան աճում է

2020 թվականին գալիումի նիտրիդի առևտրայնացումը(GaN) արագ լիցքավորման տեխնոլոգիան պաշտոնապես մտել է արագ զարգացման գոտի, հատկապես թվային արտադրանքի բարձր հզորության արագ լիցքավորման և 5G դարաշրջանի գալուստով, գալիումի նիտրիդային տեխնոլոգիայի զարգացումը սպառողական էներգամատակարարման ոլորտում նման է ձկանը ջրում, և շուկայի հզորությունը արագորեն աճում է։

Գալիումի նիտրիդային արագ լիցքավորման շուկայի պայթյունը ոչ միայն փոփոխություններ է մտցրել էներգետիկ սարքերի շուկայում, այլև խթանել է GaNFET կառավարման տեխնոլոգիայի զարգացումը: Ներկայումս մի շարք հզոր չիպերի ընկերություններ են ի հայտ եկել ինչպես երկրում, այնպես էլ արտերկրում և թողարկել են գալիումի նիտրիդային կարգավորիչներ:

Գալիումի նիտրիդը (GaN) նոր սերնդի կիսահաղորդչային նյութ է։ Դրա աշխատանքային արագությունը 20 անգամ ավելի արագ է, քան ավանդական սիլիցիումային (Si) տեխնոլոգիան, և այն կարող է հասնել երեք անգամ ավելի բարձր հզորության, երբ օգտագործվում է առաջատար արագ լիցքավորման արտադրանքներում։ Կարող է հասնել առկա արտադրանքներից շատ ավելի բարձր արդյունավետության, նույն չափի դեպքում ելքային հզորությունը մեծանում է երեք անգամ։

Բարձր հզորությունը, փոքր չափսը և բարձր արդյունավետությունը դարձել են սպառողական էներգետիկ արտադրանքի զարգացման հիմնական միտումները: Գալիումի նիտրիդային էներգետիկ սարքերի բազմաթիվ արտադրողների մուտքի և արտադրանքի տեխնոլոգիական արդիականացման հետ մեկտեղ, գալիումի նիտրիդային արագ լիցքավորման մշակման արժեքը աստիճանաբար նվազում է: Կանխատեսվում է, որ 2021 թվականից հետո GaN էներգետիկ սարքերի արժեքը աստիճանաբար ավելի ցածր կլինի, քան առկա սիլիցիումային էներգետիկ սարքերի արժեքը: Այն կարող է դառնալ լավագույն ընտրությունը ծախսարդյունավետ արագ լիցքավորման աղբյուրի նոր սերնդի համար:

Այս միտման շրջանակներում մենք նաև թողարկել ենք արագ լիցքավորման արտադրանքի շարք՝ հաճախորդների աճող պահանջարկը բավարարելու համար: Մենք ունենք գալիումի նիտրիդի բազմաթիվ նոր մոդելներ և նոր ոճեր:（ԳաՆ)Արագ լիցքավորիչ մրցակցային գնով: Բարի գալուստ խորհրդատվության և պատվերներ տեղադրելու: